三星与 ASML 合作开发下一代 EUV 光刻掩模版

据《首尔经济日报》9 月 9 日报道，三星电子将与全球最大光刻设备制造商 ASML 共同开发高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术。

三星正参与推动行业标准转变的工作，目标是将自 20 世纪 80 年代以来沿用的 6 英寸光掩模版升级为 12 英寸版本，并力争率先基于高 NA EUV 设备建立 DRAM 量产体系。

三星计划自 2028 年起将高 NA EUV 设备应用于 DRAM 生产，随后进一步扩展至 1.4 纳米先进逻辑工艺，以推动其晶圆代工业务发展。

扩大掩模版尺寸旨在弥补 EUV 技术的局限。高 NA EUV 的数值孔径比传统 EUV 高 66%，能够形成更精细的电路图案。将目前使用的 6 英寸掩模版替换为 12 英寸掩模版，有望提高晶圆厂生产效率并降低芯片制造成本。