三星混合键合技术瞄准英伟达下一代AI加速器

BlockBeats 消息，7 月 21 日，三星电子已在平泽 P5 工厂启动 Die-to-Wafer 混合键合量产线建设，聚焦下一代 HBM 与逻辑半导体的先进封装。

核心设备供应商首选荷兰 Besi，三星计划采购约 50 台混合键合机，单台价格约 60 亿韩元（约 430 万美元），为竞品报价的两倍。由于三星要求对设备架构进行定制修改，谈判进展较慢；此外，Besi 同时为台积电与美光供货，对仅为三星改机持谨慎态度。

为降低风险，三星同步考虑本土替代方案：
• 子公司 SEMES 已完成 D2W 混合键合机开发，并于今年早些时候送样验证；
• 韩华 Semitech 于今年 2 月完成第二代“SHB2 Nano”开发，4 月向 SK 海力士送样，其集成 EFEM、等离子激活与清洗模块的集群系统具有差异化竞争力。

该技术通过混合铜键合取代传统热压键合，可直接键合铜与介质材料，大幅缩短互连长度。核心应用场景为定制 HBM：将 HBM DRAM 层垂直堆叠在含客户计算电路和 IP 的逻辑晶粒上，形成 3D 系统级封装。

Citrini 分析师 Jukan 指出，混合键合预计将用于英伟达下一代 AI 加速器 Feynman，该芯片将采用定制 HBM，但技术落地时间已由 HBM4E 向后推迟。三星内部预计将在 2029 至 2030 年实现规模化应用，时间节点与英伟达 Feynman 的预期窗口相符。