三星探索内存新技术：垂直堆叠于 AI 加速器之上，密度或达传统 HBM5 十倍

8 月 5 日，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出 V10 Bonding V-NAND，即 BV-NAND 原型产品。

该芯片拥有超过 400 层结构，并采用全新的晶圆键合架构，旨在提高存储密度并增强性能。三星表示，BV-NAND 技术相比上一代 V9 NAND，可将存储密度提高约 58%，同时提升读取、写入以及输入/输出性能，以满足人工智能系统对更高容量、更高能效存储解决方案的需求。

三星还展示了其称为业界首款的 zHBM 和 zNAND-O 架构概念模型。该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据。不同于传统 HBM 与 AI 处理器并列封装的方式，三星的 zHBM 将存储垂直堆叠于 AI 加速器之上，以缩短数据传输距离、提高带宽，并提升能源效率。

三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统 HBM5 内存 10 倍的存储密度，同时将能源效率提高 3 倍，并将热阻降低一半以上。