铠侠与闪迪发布高密度 3D NAND 闪存：332 层 QLC，接口速率达 4800 MT/s

8 月 5 日，铠侠（Kioxia）与闪迪（SanDisk）在 Future of Memory and Storage Conference（FMS）上发布最新 BiCS10 3D QLC NAND 闪存芯片，称其为目前全球已正式推出的最高存储密度 3D NAND 产品。

据介绍，该芯片采用 332 层堆叠结构，单位面积存储密度达到 37 Gb/mm²，配备最高 4800 MT/s 高速接口，并支持独立命令地址（SCA）功能，主要面向高容量数据中心级 SSD 市场。

相比此前两家公司推出、存储密度超过 29 Gb/mm² 的 BiCS10 3D TLC NAND 产品，新款 QLC NAND 进一步提升了数据中心存储容量密度。业内预计，在采用相近芯片尺寸和存储单元数量的情况下，该芯片容量可能达到约 1.33 Tb，但厂商尚未公布具体容量规格。

为满足数据中心对高性能与低功耗的需求，铠侠与闪迪还引入低功耗隔离低抽头终端（PI-LTT）技术，以提升高速信号完整性并降低输出驱动功耗。

两家公司表示，基于最新 BiCS10 制程工艺，新一代 QLC NAND 不仅实现了更高位密度，也有望在产能爬坡后降低制造成本，推动更高容量 SSD 以更具竞争力的价格进入市场。