韩媒：韩国内存领先地位或延续至 2031 年

据韩媒 8 月 5 日报道，一项预测显示，在三星电子、SK 海力士等企业持续加大投资的推动下，韩国有望将其在全球内存芯片市场的领先地位保持至 2031 年。

报道称，高带宽内存（HBM）的需求预计将从英伟达图形处理器（GPU）快速扩展至谷歌等大型科技公司自主研发的人工智能（AI）加速器。

法国市场研究公司 Yole Group 行业分析师约瑟芬·卢当地时间 8 月 4 日在加州举行的 2026 年未来内存与存储大会上表示，韩国将在 2031 年前保持其在内存行业的领先地位。她指出，韩国计划在未来五年内将晶圆产能翻一番，三星电子和 SK 海力士也在持续扩大投资。

分析认为，随着三星电子和 SK 海力士同步扩大下一代 DRAM（包括 HBM）和 NAND 的产能，并推进相关技术研发，韩国在内存产业的优势有望延续。