高盛韩国反驳存储空头三大担忧：市场对基本面过于悲观

8 月 7 日，高盛亚洲首尔分部交易员 Justin Park 在报告中指出，韩国股市近期剧烈波动，已将存储芯片行业基本面预期压至过度悲观水平。市场定价所隐含的悲观程度超出实际情况，存储周期的强度与持续时间均可能超越以往。

高盛维持对韩国市场的超配立场，并维持 KOSPI 未来 12 个月目标位 12,000 点不变。韩国 KOSPI 指数在 6 月 22 日高点后一度重挫 39%，7 月 31 日单日暴涨 17.9%，创历史最大单日涨幅。

高盛认为，KOSPI 此轮急跌并非源于基本面实质恶化，而是由市场对存储周期持续性的担忧触发，并被杠杆 ETF 被动抛售及短期动量投资者跟风卖出显著放大。目前技术面已明显改善：杠杆 ETF 规模收缩、保证金敞口下降、监管趋严、对冲基金仓位回落，市场筹码结构趋于干净，为后续修复奠定基础。

空头担忧一：英伟达拟下调 Rubin Ultra 的 HBM 配置

高盛反向解读称，这恰恰印证了 HBM 供给的结构性瓶颈。HBM 已成为 AI 产业链中供给最紧缺的核心组件，其可获得性将成为全球 AI 产业扩张的关键制约因素。

空头担忧二：SK 海力士 LTA 策略存在机会成本

由于大量产能被绑定在旧款 HBM3E 产线上，SK 海力士二季度 DRAM 市场份额降至 26%；三星重回榜首，升至 39%；美光与 SK 海力士的差距收窄至仅 1 个百分点。

高盛认为，SK 海力士下一阶段竞争力将取决于其能否快速完成产线切换。

空头担忧三：NAND 表现引发获利了结

市场围绕 NAND 形成“超预期但低于市场期望”的叙事，引发获利了结。消费及边缘计算业务环比大幅下滑 32%，管理层预计 2027 年才会出现实质性复苏。

高盛的结构性判断是，DRAM 制程微缩空间正趋于饱和，10 纳米或将是最后一个节点。良率下降和资本开支大幅攀升，将从结构上支撑对存储周期的积极判断。

需求侧出现两个积极信号

一是长鑫存储已拒绝苹果降价要求，定价与三星及 SK 海力士相当。

二是 DeepSeek 正计划大幅提价，标志着超低价补贴式 AI 推理时代正走向终结。