马斯克或采用 FEL 技术挑战 EUV 光刻机

8 月 10 日，SpaceX 近日宣布将与特斯拉合作，初期投资 168 亿美元，在美国得州共建 Terafab 芯片设施。

有博主称，从 Terafab 已发布的信息来看，马斯克似乎有意采用“自由电子激光器”（Free Electron Laser，FEL）技术路线，以挑战阿斯麦的 LPP EUV 光源，并冲击传统 EUV 晶片生产技术的垄断。随后，马斯克回应并贴出“FEL FTW”（FEL For The Win）字样，似乎印证了相关猜测。

从 Terafab 细长的厂房设计及马斯克的回应来看，Terafab 采用 FEL 技术的可能性引发了业界讨论。FEL 具备高功率、高相干性、波长可调以及更高能效等优势，理论上可将光刻光源从 13.5nm 推向 6nm 甚至更短波长。

不过，庞大的加速器系统、成本控制以及量产稳定性，仍是 FEL 技术产业化面临的主要挑战。