三星电子公布新一代光刻技术路线图，计划在 1nm 节点量产中部署高 NA EUV

8 月 11 日，三星电子技术专家 Park Chang-min 在 2026 年 NGL 会议上表示，三星电子计划在其 1 纳米工艺中引入一项重要光刻技术创新。该工艺最早可能于 2030 年进入量产。

三星电子计划在 1nm 节点的大规模生产中部署高 NA EUV。高 NA EUV 是下一代极紫外光刻技术，公司目前正专注于开发其商业化所需的相关技术。

此外，三星电子正在加强高 NA EUV 研发，并将 1nm（或 A10）工艺作为量产全面部署的目标。其中，“A”指埃（angstrom），1 埃等于 0.1nm。