SK海力士拟深化与日本存储产业合作,并推进美国 HBM 封装基地建设

SK海力士拟深化与日本存储产业合作,并推进美国 HBM 封装基地建设
SK海力士拟深化与日本存储产业合作,并推进美国 HBM 封装基地建设

8 月 28 日,SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-Jung 表示,公司正在研究深化与日本存储芯片客户及供应商合作的方式,并谨慎评估如何共同发展 NAND 闪存市场。对于公司在铠侠持有的重要间接权益,他表示目前“没有任何确定计划”。

东芝本月减持后,SK 海力士持有相关股份的投资工具 BCPE Pangea Cayman2 已成为铠侠最大股东,持股比例为 14.19%。SK 海力士持有可转换为该投资工具几乎全部投票权的债券。根据此前协议,除非获得铠侠同意,其投票权益在 2028 年前不得超过 15%。

此外,SK 海力士正投资逾 40 亿美元,在美国印第安纳州建设其首座美国 HBM 封装基地。该工厂洁净室预计于 2028 年 10 月启用,下一代 HBM 计划于 2029 年下半年量产。全面运营后,预计将雇用约 1000 人。

公司同时仍在评估美国 NAND 子公司 Solidigm 上市的可能性,但尚未作出决定。

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