长鑫攻下 HBM3E：离全球头部只差一代

《The Information》援引两名知情人士称，长鑫存储已开始小批量生产 HBM3E，并计划在 2027 年扩大产量。

HBM 是部署在 AI 芯片旁边的高速内存，负责快速向芯片输送数据。美国自 2024 年起限制 HBM2 及以上产品对华出口，HBM 也一直是国产 AI 芯片的重要短板之一。

寒武纪、阿里平头哥等国内芯片团队已经在测试长鑫的 HBM。若进展顺利，最快明年就可能用于相关产品。HBM3E 也是英伟达 H200 和 Blackwell 所使用的一代内存。按产品代际看，长鑫目前只比 SK hynix、三星和美光正在量产的 HBM4 落后一代。

不过，小批量生产距离成熟量产仍有差距。长鑫 HBM3E 目前良率仍偏低，速度和可靠性也不及三大厂。SK hynix 早在 2024 年就已开始量产 HBM3E，目前三大厂已进入 HBM4 阶段，并开始送样 HBM4E。

长鑫这次跨过的是“能不能做出来”这一关，下一步则是把良率和产量真正提升上去。